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メモリインタリ〜ブって本当に効果ある？？Ｐａｒｔ２ 続いてメモリ２枚追加購入（涙）で４枚挿しでの検証を行いました。 変化はあるのでしょうか？

検証環境 　 Ｍ／Ｂ ＭＳＩ６９４ＤＰｒｏ−Ａ ＣＰＵ Ｐｅｎｔｉｕｍ�V７５０×２＠ＦＳＢ定格 メモリ ６４Ｍｂｉｔ両面実装１２８ＭＢ／ＳＤＲＡＭ×４ ＤＩＭＭスロット１，２，３，４使用 ＯＳ ＭＳ−Ｗｉｎｄｏｗｓ２０００Ｐｒｏ／ＳＰ１ ＢＩＯＳ設定 　 　 　 　 　 　 　 　 Ｂａｎｋ　０／１　ＤＲＡＭ　Ｔｉｍｉｎｇ 　 ＳＤＲＡＭ　８／１０ｎｓ 　 　 Ｂａｎｋ　２／３　ＤＲＡＭ　Ｔｉｍｉｎｇ 　 ＳＤＲＡＭ　８／１０ｎｓ 　 　 Ｂａｎｋ　４／５　ＤＲＡＭ　Ｔｉｍｉｎｇ 　 ＳＤＲＡＭ　８／１０ｎｓ 　 　 Ｂａｎｋ　６／７　ＤＲＡＭ　Ｔｉｍｉｎｇ 　 ＳＤＲＡＭ　８／１０ｎｓ 　 　 ＳＤＲＡＭ　Ｃｙｃｌｅ　Ｌｅｎｇｔｈ 　 ３ 　 　 ＤＲＡＭ　Ｃｌｏｃｋ 　 Ｈｏｓｔ　ＣＬＫ 　 　 　 　 　 　 ＷＣＰＲ設定（４ｗａｙの場合） 　 アドレス HEX Bit Bin Ｍｅｎｕ アドレス HEX Bit Bin Ｍｅｎｕ 50h F 7 1 In-Order Queue depth 0=1-level 1=4-level 51h F 7 1 CPU DRAM read 0 ws 0=1-level 1=4-level 6 1 read-around-write 0=disable 1-enable 6 1 CPU DRAM write 0 ws 0=disable 1-enable 5 1 i/o write deferable 0=disable 1=enable 5 1 DRAM read request rate 0=3T 1=2T 4 1 defer retry with HLOCK 0=disable 1=enable 4 1 reserved F 3 1 CPU PCI read retry 0=disable 1=enable F 3 1 reserved 2 1 CPU PCI read deferred 0=disable 1=enable 2 1 CPU DRAM prefetch depth 0=1-level 1=4-level 1 1 CPU DRAM read while snoop 0=disable 1=enable 1 1 CPU DRAM post-write depth 0=1-level 1=4-level 0 1 PCI DRAM read while snoop 0=disable 1=enable 0 1 concurrent CPU/PCI-master 0=disable 1=enable 64h E 7 1 0/1 precharge to active 0=2T 1=3T 65h E 7 1 0/1 precharge to active 0=2T 1=3T 6 1 0/1 active to precharge 0=5 1=6T 6 1 0/1 active to precharge 0=5 1=6T 5 1 0/1 CAS latency 00=1T 01=2T 10=3T 5 1 0/1 CAS latency 00=1T 01=2T 10=3T 4 0 (同上) 4 0 (同上) 6 3 0 0/1 DDR write enable 0=disable 1=enable 6 3 0 0/1 DDR write enable 0=disable 1=enable 2 1 0/1 ACTIVE to CMD 0=2T 1=3T 2 1 0/1 ACTIVE to CMD 0=2T 1=3T 1 1 0/1 bank interleave 00=none 01=2-way 10=4way 1 1 0/1 bank interleave 00=none 01=2-way 10=4way 0 0 (同上) 　 0 0 (同上) 66h E 7 1 0/1 precharge to active 0=2T 1=3T 67h E 7 1 0/1 precharge to active 0=2T 1=3T 6 1 0/1 active to precharge 0=5 1=6T 6 1 0/1 active to precharge 0=5 1=6T 5 1 0/1 CAS latency 00=1T 01=2T 10=3T 5 1 0/1 CAS latency 00=1T 01=2T 10=3T 4 0 (同上) 　 4 0 (同上) 　 6 3 0 0/1 DDR write enable 0=disable 1=enable 6 3 0 0/1 DDR write enable 0=disable 1=enable 2 1 0/1 ACTIVE to CMD 0=2T 1=3T 2 1 0/1 ACTIVE to CMD 0=2T 1=3T 1 1 0/1 bank interleave 00=none 01=2-way 10=4way 1 1 0/1 bank interleave 00=none 01=2-way 10=4way 0 0 (同上) 　 0 0 (同上)

それでは注目のＤＩＭＭ４枚でインタリーブを検証してみましょう。

４枚挿しでの検証 　 　 ＤＩＭＭモジュール１，２，３，４　インタリーブなし 　 　 １回目 ２回目 ３回目 Ave IntALU 229 228 229 229 FloatFPU 233 233 233 233 　 インタリーブしなくても１枚挿しよりも２枚挿し、２枚挿しよりも４枚 挿しのほうがスコアが伸びています。 　 ＤＩＭＭモジュール１，２，３，４　２ｗａｙインタリーブ 　 　 １回目 ２回目 ３回目 Ave IntALU 275 274 278 276 FloatFPU 279 278 279 279 　 ２ｗａｙでもやはり１枚挿しよりも２枚挿し、２枚挿しよりも４枚挿し のほうがスコアが伸びています。 　 ＤＩＭＭモジュール１，２，３，４　４ｗａｙインタリーブ 　 　 １回目 ２回目 ３回目 Ave IntALU 296 296 296 296 FloatFPU 296 296 296 296 　 ４ｗａｙで言えば、１枚挿しよりも２枚挿しの方がかなりの伸びを示し 、２枚挿しよりも４枚挿しが若干伸びています。

結論 ＤＩＭＭ１枚より２枚、２枚より４枚で４ｗａｙのインタリーブを行った場合が最も 効果がある。また、インタリーブをしない場合でも複数枚のＤＩＭＭを挿すだけでも 何らかの相乗効果が得られる。ということがわかった。

お約束ですが、ここでの結果はこの環境にて出せるもので、全てのＶＩＡチップセットで出せるものではないかもしれません。 あくまでも参考値として捕らえてください。（＾＾； 何か不信な点がありましたら、下記アドレスまでメールを下さるか、掲示板のほうに書き込みしてください。

m_maniax@catnip.freemail.ne.jp

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